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  英格尔32纳米整合显卡CPU           
英格尔32纳米整合显卡CPU
文章来源:不详 更新时间:2009-3-13 11:54:40 本站:学友堂  网址:www.3i3i.cn
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北京时间今天中午12点,英特尔向全球媒体正式公布了其32nm处理器的最新进程和产品细节。这次技术发布是Intel “Tick-tock” 在2009年度的最新进展,英特尔带来了多个让人激动的消息,这包括全球首家32nm处理器量产已经准备就绪以及全球首个整合图形处理器(GPU)的x86处理器的问世。



英特尔向媒体展示首款32nm桌面级处理器

  ● Intel 32nm 制造工艺准备就绪

  作为Intel“Tick-tock” 战略的推进步骤,英特尔今年将把主流产品已经成熟45nm制造工艺升级到下一代的32nm工艺上来,但在CPU的微架构方面将基本延续酷睿i7架构进行扩展。

  自07年下半年英特尔成功开发出19亿晶体管的4GHz速度32nm SRAM测试芯片以来,32nm工艺技术一直顺利推进,08年底时32nm处理器定型已经基本完成,到现在为止,英特尔CPU和SoC两种芯片的32nm化在技术端已经彻底就绪,投入生产的时间完全取决于市场。


32nm处理器将在这四个工厂生产

  为了完成处理器产品向32nm技术的过渡,英特尔在未来两年内上马四座fab芯片生产厂。位于俄勒冈州的D1D芯片厂目前已经投入使用,同样位于俄勒冈州的D1C芯片厂将于2009年第四季度投入使用。2010年,英特尔将再建两座制造工厂。位于亚利桑那州的Fab 32生产厂和位于新墨西哥州的Fab 11X生产厂。

  ● Intel 32nm 制造工艺的技术优势

  和现有的45nm工艺相比,32nm工艺在以下几个方面有着显著的变化:

  >>32nm工艺使用第二代高-K金属栅级
     0.9nm等价氧化物厚度高-K(45nm技术是1nm)
     金属栅级工艺流程更新
     30nm栅极长度
     第四代应变硅
  >>有史以来最紧密的栅极间距
     第一代32nm技术将使112.5nm栅极间距
  >>有史以来最高的驱动电流
  >>晶体管性能提升22%
  >>同比封装尺寸将是45nm工艺产品的70%


32nm的栅极间距更密但漏电率仍然得到改善

  向对于45nm工艺,NMOS晶体管的漏电量减少5倍多,PMOS晶体管的漏电量则减少10倍以上。由于上述改进,电路的尺寸和性能均可得到显著优化。

  英特尔方面宣称,第一批32nm处理器的功耗将和现有同档次45nm处理器大致持平或稍低,但性能会大幅度提升。显然,在微架构没有改变性能得到提升的途径就是提升处理器的频率,也许4GHz对于32nm处理器只是小菜一碟。

参考资料

http://www.57xxw.com/

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